专用于AlN单晶生长的PVT气相沉积炉技术
核心技术包括设计、制造高温专用PVT设备，其核心创新点在于：1）耐超高温材料选择及热场设计：能够稳定维持腔体内温度均匀性（>2300°C）及特殊温度梯度；2）独特的气压与气氛控制系统：实现高压下可控的N2气或Ar气氛围及输运；3）精确的原料升华与输运调控；4）原位监测与控制系统；5）设备长时间运行稳定性。该设备为生长高质量AlN晶体的基础装备。
硅基/蓝宝石基氮化铝（AlN）薄膜模板技术
核心在于在成本相对较低的硅（Si）或蓝宝石（Al2O3）衬底上，通过异质外延技术，制备出高品质、低应力的氮化铝单晶薄膜层（通常带有特定取向的缓冲层结构，如c-plane、m-plane）。创新点包括精确控制应力释放、晶格失配管理、位错过滤机制以及界面工程，以实现高晶体质量（如低X射线衍射半峰宽FWHM值）和低裂纹密度的AlN模板。
氮化铝（AlN）单晶衬底材料制备技术
核心技术为利用物理气相传输法（PVT）生长高质量、大尺寸（尤其是2英寸）氮化铝单晶。其创新点在于突破高温（>2300°C）、高压（>1atm）生长环境下的温场设计、籽晶选择与处理、原料纯化、缺陷控制（如位错、包裹物）等关键技术瓶颈，实现低位错密度、高结晶质量的单晶生长。核心技术涉及精确控制气相组分输运与晶格成核生长的复杂动力学过程。
融资次数
2
员工数量
小于50人
经营范围
许可项目：货物进出口；技术进出口；第一类增值电信业务；互联网信息服务；第二类增值电信业务(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准)。一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子专用材料制造；电子专用材料销售；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；光电子器件制造；光电子器件销售；电子元器件制造；电子元器件零售；电子元器件与机电组件设备制造；其他电子器件制造；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；电子专用设备制造；金属材料制造；金属材料销售(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
奥趋光电技术（杭州）有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥2,447万
2018-12-27
邬萌靓
18069846900
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