碳化硅功率器件技术
基于宽禁带半导体碳化硅材料开发的Schottky二极管与MOSFET，实现比传统硅器件更高的开关频率和能量转换效率。创新点包括优化漂移区设计以减少导通电阻，并增强高温环境下的可靠性。
高压双极晶体管技术
利用双极结晶体管架构，通过结隔离和掺杂剖面优化，在高电压下提供稳定的放大与开关功能。创新点包括提升电流增益一致性和击穿电压阈值。
功率二极管技术
采用先进的扩散工艺和结优化技术，实现低正向压降和快速恢复特性。创新点包括降低开关损耗和热管理需求，提升系统整体效率。
可控硅整流器技术
基于PNPN结构的四层半导体器件，用于大功率开关和控制应用。创新点包括优化的门极驱动设计和热稳定性提升，实现高电流承载能力和高电压阻断能力。
融资次数
4
员工数量
小于50人
经营范围
半导体产品和设备、零部件的研发、设计、生产、销售、技术咨询、技术服务和技术转让；自营和代理各类商品和技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
专注于功率半导体器件的研发、生产与销售，产品包括可控硅整流器、功率二极管、高压晶体管及碳化硅器件等，广泛应用于汽车、电信、计算机和消费电子领域。
瑞能半导体科技股份有限公司
股份有限公司(中外合资、未上市)
￥3.6163亿
2015-08-05
李滨
0791-85952901
rui.tao@ween-semi.com
江西省南昌市南昌县小蓝经济技术开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼