碳化硅MOSFET
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），支持1200V-1700V阻断电压，导通电阻低至80mΩ。具备高速开关性能和低栅极电荷，适用于服务器电源、工业电机驱动器等高功率密度应用场景，相比硅基器件可减少50%以上开关损耗。
碳化硅肖特基二极管
基于碳化硅（SiC）技术的肖特基势垒二极管（SBD），工作电压覆盖650V-1200V。具有零反向恢复电荷、高温稳定性（最高175°C结温）及超高开关频率（>100kHz），显著提升太阳能逆变器、电动汽车充电桩等系统的能效和功率密度。
高压晶体管
高压双极结型晶体管（BJT）和达林顿管系列，针对600V-1500V高压应用优化。具有高击穿电压、低饱和压降特性，支持达30A集电极电流，主要用于CRT显示器偏转电路、X射线发生器、激光电源等高压开关系统。
功率二极管
功率二极管主要用于整流和续流应用，分为标准整流二极管、快恢复二极管（FRD）及超快恢复二极管（UFRD）等系列。关键特性包括低正向压降、高浪涌电流能力（最高达150A）和快速反向恢复时间（最低25ns），适用于开关电源、逆变器、UPS等电力转换系统。
可控硅整流器
可控硅整流器（Thyristor）是一种大功率半导体开关器件，主要用于交流电控制和功率调节。产品系列包括标准相控型、双向可控硅等，具有高电压电流承受能力（可达1600V/200A），广泛应用于电机调速、调光系统、工业加热设备等场景，提供精确的相位角控制。
融资次数
4
员工数量
小于50人
经营范围
半导体产品和设备、零部件的研发、设计、生产、销售、技术咨询、技术服务和技术转让；自营和代理各类商品和技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
专注于功率半导体器件的研发、生产与销售，产品包括可控硅整流器、功率二极管、高压晶体管及碳化硅器件等，广泛应用于汽车、电信、计算机和消费电子领域。
瑞能半导体科技股份有限公司
股份有限公司(中外合资、未上市)
￥3.6163亿
2015-08-05
李滨
0791-85952901
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江西省南昌市南昌县小蓝经济技术开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼