刻蚀 (Etch)
应用材料在导体和电介质刻蚀方面实力强劲（Centris, Sym3等系统）。核心技术涵盖高频低损伤的等离子体源（如感应耦合等离子体ICP）、精确的晶圆偏置控制、先进的化学气体调制方案，以及关键的原子层刻蚀（ALE）技术。用于在介质、硅、金属和化合物材料上高精度、高选择性地形成微纳图形。
离子注入 (Ion Implantation)
应用材料拥有全面的高能、中电流、大束流离子注入平台（VIISta系列）。核心技术包括精确的离子束形成、质谱分析筛选、晶圆表面的角度与剂量均匀性控制，以及创新的束线光学设计（如分子离子技术）以解决超浅结注入挑战。用于将特定掺杂原子精确可控地引入硅晶格中。
原子层沉积 (Atomic Layer Deposition, ALD)
应用材料（如Endura ALD）是该技术的关键推动者。其核心创新在于超精密的、循环自限制性表面反应控制、高效的前驱体输送与吹扫系统设计、以及适用于极高深宽比结构的空间隔离ALD技术（Spatial ALD）。可在原子尺度上实现极薄、极度均匀且保形性优异的薄膜沉积。
化学机械抛光 (Chemical Mechanical Polishing, CMP)
应用材料（通过收购）在CMP领域处于领先地位（Reflexion系列平台）。核心技术包括精密的抛光头压力分区控制技术、先进终点检测系统（光学或电机电流分析）、创新的抛光垫和研磨液（Slurry）管理方案，以及精确的晶圆传送和清洗技术。旨在实现纳米级平坦化，解决多层互连引入的拓扑结构问题。
化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD)
应用材料提供全面的CVD解决方案（如Precision CVD, Producer平台），涵盖常压、低压、等离子体增强（PECVD）和亚稳气相外延（MVPE）等技术。核心在于精确的前驱体输送、反应腔室内的气体流场与温度均匀性控制、等离子体激发与稳定技术，以及原位监测。可实现多种关键薄膜材料（介电质、多晶硅、金属、外延硅/硅锗）的高质量、高保形性沉积。
物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition, PVD)
应用材料在磁控溅射PVD技术领域处于领先地位，尤其以Endura平台为代表。其核心创新在于先进腔体设计（如高密度等离子源）、精确的工艺控制（温度、压力、等离子体密度）以及对薄膜微结构（晶粒尺寸、取向、应力）和界面特性的出色控制能力。应用于先进逻辑/存储芯片中的金属互连层（铜、钴、钌阻挡层/种子层）、电极和磁性薄膜沉积。
美股代码
AMAT
员工数量
500-999人
经营范围
研制、生产半导体生产设备及零部件、半导体制造工艺软件的制作，销售自产产品；提供上述产品同类商品的批发、进出口及佣金代理（拍卖除外）；提供维修、售后服务及相关的技术支持、技术服务、技术培训、技术咨询。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
设计、制造、销售和维修用于半导体芯片制造的先进设备及相关服务，其核心在于为集成电路制造商提供制造芯片所需的关键工艺设备和工艺技术解决方案。
应用材料（中国）有限公司
有限责任公司(港澳台法人独资)
$1,200万
2002-03-21
GONGDA YAO
021-38616000
xiaoting_gu@amat.com
中国（上海）自由贸易试验区银冬路20弄7号楼1-2层及6-10层