SiC功率模块
基于碳化硅（SiC）MOSFET技术的功率模块，封装形式包含HPI（高性能绝缘型）和HPD（高性能双面散热型）。具备超低开关损耗和反向恢复损耗特性，支持高频开关（可达100kHz以上）及高温运行（最高结温175℃）。适用于电动汽车电驱系统、车载充电机（OBC）、高功率密度太阳能逆变器及数据中心电源等对效率与功率密度要求严苛的领域。
IGBT功率模块
涵盖多种封装规格的IGBT模块产品，主要包括：34mm半桥模块（适用于小功率应用如家电变频），48mm半桥/PM模块（用于工业变频器、UPS等中等功率场景），62mm半桥/EconoDual模块（针对大功率工业驱动、新能源发电逆变器）。产品采用先进焊接与键合工艺，实现高电流密度、低导通损耗及强短路耐受能力，满足工业级可靠性和温度循环要求。
科创行业
经营范围
一般项目：电力电子元器件制造；电子元器件制造；电子元器件与机电组件设备制造；电子元器件批发；电子元器件零售；电子元器件与机电组件设备销售；电力电子元器件销售；电子专用设备制造；电子专用设备销售；货物进出口；软件开发；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子专用材料制造；电子专用材料销售；电子专用材料研发；通信设备制造；集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；其他电子器件制造（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
IGBT功率模块和SiC功率模块的研发与制造
常州银芯微功率半导体有限公司
有限责任公司
￥7,500万
2024-07-08
刘军
江苏省常州市新北区河海西路168号