全椒南大
关注
已关注
产品&解决方案
掌握四氟化硅(SiF4)、六氟乙烷(C2F6)、八氟环丁烷(c-C4F8)等含氟电子气体的规模化合成与提纯技术。核心创新在于通过催化氟化反应路径优化减少副产物,结合低温精馏-吸附耦合工艺(采用分子筛与金属氧化物复合吸附剂)去除HF、CO2等杂质,实现产品纯度≥99.999%(5N)且关键杂质如HF<0.1ppm,满足先进制程对蚀刻气体的要求。
针对集成电路制造所需的特种气体(如磷烷、砷烷、硼烷、氨气等),开发多级纯化系统(包含低温吸附、金属吸气剂、催化净化、精密过滤等单元),实现电子级气体中颗粒物<0.1μm、金属杂质<10ppt的纯化能力。在混合气体制备方面,运用质量流量计精确控制与在线分析技术,确保如SiH4/PH3、GeH4/B2H6等混合气体的配比精度达±1%,并解决高活性气体相容性与长期稳定性问题。
专注于开发用于MOCVD(金属有机化学气相沉积)工艺的关键前驱体材料,如三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三乙基镓(TEGa)等高纯金属有机化合物。核心技术在于合成路径优化、超纯精馏分离(如高效精密分馏塔设计)与痕量杂质(氧、水、金属粒子等)深度控制技术,通过分子筛吸附、化学反应纯化及亚微米级过滤实现金属杂质<1ppb、非金属杂质<10ppb的9N级超高纯度。
该业务涉及高纯度电子特种气体的研发、生产和推广,产品包括蚀刻气体、清洗气体和掺杂气体等,服务于集成电路(IC)和半导体制造的核心工艺,如蚀刻、沉积和清洗等环节。业务目标包括打破国际垄断、实现国产化,并向国内外市场提供符合国际标准的高可靠性气体材料。
该业务专注于研发、制造和销售高纯度金属有机源化合物(MO源),应用于半导体外延沉积(如MOCVD工艺)、发光二极管(LED)、太阳能电池及先进显示技术领域。该领域强调自主知识产权和国产化替代,产品满足光电子产业对高纯度的严格要求,支持国内半导体供应链安全。
提供自主研发的高纯度电子特种气体,如磷烷(PH3)、三氟化磷(PF3),用于半导体制造中的蚀刻、掺杂和清洗工艺,通过先进纯化技术保证产品质量。
提供自主研发和生产的高纯度金属有机化合物(MO源),如三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn),用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,支持化合物半导体外延生长,满足国产替代需求。
高纯硼烷是一种电子特气,常用于半导体制造中的掺杂过程,提供精确的B型掺杂效果。产品纯度在6N级别(99.9999%以上),杂质水平符合SEMI标准,适用于离子注入和化学气相沉积(CVD)工艺。广泛应用于NAND闪存、中央处理器(CPU)和微机电系统(MEMS)的生产,确保器件的高可靠性和低能耗特性。
查看更多
融资次数
1
员工数量
100-499人
公司简介
全椒南大光电材料有限公司成立于2013年,致力于拥有自主知识产权的高纯电子材料国产化,为本土及海外市场提供高质量的先进电子材料产品。项目的远景规划是打造国家级电子新材料产业园,将拥有自主知识产权的南大光电电子气体产品推向国内外市场,将全椒南大光电建成大规模高纯金属有机化合物和高纯电子气体的生产商。
经营范围
一般项目:电子专用材料制造;电子专用材料销售;电子专用材料研发;化工产品生产(不含许可类化工产品);化工产品销售(不含许可类化工产品);合成材料制造(不含危险化学品);专用化学产品制造(不含危险化学品);专用化学产品销售(不含危险化学品);橡胶制品销售;有色金属合金制造;通用设备修理;机械设备销售;机械零件、零部件销售;非居住房地产租赁;机械设备租赁;国内贸易代理;创业空间服务(除许可业务外,可自主依法经营法律法规非禁止或限制的项目)许可项目:危险化学品生产;危险化学品经营;移动式压力容器/气瓶充装;特种设备检验检测服务;货物进出口(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
大规模生产高纯金属有机化合物和高纯电子气体,为半导体、LED及其他电子材料产业提供关键基础材料,致力于实现国产化替代并拓展国际市场。
公司全称
全椒南大光电材料有限公司
公司类型
其他有限责任公司
注册资本
¥1.1034亿
成立时间
2013-11-26
法定代表人
王陆平
电话
0550-5293666
邮箱
zhangp@nata.com
地址
安徽省滁州市全椒县十字镇十谭产业园新城大道686-688号