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高纯硼烷(B2H6)
高纯硼烷是一种电子特气,常用于半导体制造中的掺杂过程,提供精确的B型掺杂效果。产品纯度在6N级别(99.9999%以上),杂质水平符合SEMI标准,适用于离子注入和化学气相沉积(CVD)工艺。广泛应用于NAND闪存、中央处理器(CPU)和微机电系统(MEMS)的生产,确保器件的高可靠性和低能耗特性。
高纯磷烷(PH3)
高纯磷烷是一种电子特气,主要用于半导体制造中的掺杂和离子注入工艺。产品纯度达6N级别(99.9999%以上),杂质如氧气、水分和金属离子被严格控制在ppb级别,确保在晶圆加工中形成精确的P型掺杂区域。应用包括动态随机存取存储器(DRAM)、逻辑芯片和太阳能电池的生产,支持90纳米至28纳米及以下的先进制程技术。
高纯三甲基铝(TMA)
高纯度三甲基铝是一种金属有机化合物(MO源),广泛用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,制造铝镓砷(AlGaAs)和铝镓氮(AlGaN)半导体材料。其纯度在6N级别(99.9999%以上),低杂质特性优化了外延生长质量,适用于生产激光二极管、高频晶体管和紫外LED器件,满足高端电子设备的需求。
高纯三甲基铟(TMIn)
高纯度三甲基铟是一种金属有机化合物(MO源),专用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,主要生产磷化铟(InP)基半导体器件和太阳能电池。产品纯度达6N级别(99.9999%以上),严格控制重金属杂质,保证在沉积过程中形成均一的薄膜结构,应用在高速通信、光电器件和光伏电池领域,提升器件的效率和稳定性。
高纯三甲基镓(TMGa)
高纯度三甲基镓是一种金属有机化合物(MO源),主要用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,生产氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)和半导体器件。其纯度通常达到6N级别(99.9999%以上),杂质如氧、水份含量极低,可确保在高温沉积过程中获得高电导率和低缺陷率的外延层,广泛应用于LED照明、显示器和功率半导体行业。产品符合国际半导体设备与材料协会(SEMI)标准,能支持大规模集成电路生产。
融资次数
1
员工数量
100-499人
经营范围
一般项目:电子专用材料制造;电子专用材料销售;电子专用材料研发;化工产品生产(不含许可类化工产品);化工产品销售(不含许可类化工产品);合成材料制造(不含危险化学品);专用化学产品制造(不含危险化学品);专用化学产品销售(不含危险化学品);橡胶制品销售;有色金属合金制造;通用设备修理;机械设备销售;机械零件、零部件销售;非居住房地产租赁;机械设备租赁;国内贸易代理;创业空间服务(除许可业务外,可自主依法经营法律法规非禁止或限制的项目)许可项目:危险化学品生产;危险化学品经营;移动式压力容器/气瓶充装;特种设备检验检测服务;货物进出口(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
大规模生产高纯金属有机化合物和高纯电子气体,为半导体、LED及其他电子材料产业提供关键基础材料,致力于实现国产化替代并拓展国际市场。
公司全称
全椒南大光电材料有限公司
公司类型
其他有限责任公司
注册资本
¥1.1034亿
成立时间
2013-11-26
法定代表人
王陆平
电话
0550-5293666
邮箱
zhangp@nata.com
地址
安徽省滁州市全椒县十字镇十谭产业园新城大道686-688号