高密度混合信号封装(Hybrid SIP)
将光电探测芯片、模拟前端(AFE)、数字处理器(ASIC)进行三维异构集成。创新点包括：采用玻璃通孔(TGV)基板实现射频隔离；微透镜阵列(MLA)光学耦合技术使光效提升40%；金锡共晶焊(共熔点280℃)实现气密封装。
红外光电传感器阵列设计
基于化合物半导体材料（如InGaAs）设计的高灵敏度红外传感器阵列技术，采用倒装芯片(Flip-chip)与晶圆级封装(WaLP)技术集成。创新点包括：独特的光学微结构设计增强特定波段（850nm/940nm）光捕捉效率；嵌入式噪声抑制电路实现超高信噪比；宽温域补偿算法（-40℃至105℃工作范围）。