产品&解决方案
本解决方案提供基于InP的雪崩光电二极管（APD）探测器外延片和芯片，具备高增益和低噪声特性，用于光通信和传感的信号接收端。产品支持宽波长范围（如1310nm和1550nm），直接部署于接收模块中，提高信号检测精度和抗干扰能力。
本解决方案基于GaAs材料的垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列外延片和芯片，专为高精度3D传感和成像设计。产品支持高光束质量和快速响应，集成于传感模块中，实现距离测量和安全认证，适用于消费电子和工业自动化领域。
本解决方案提供基于InP材料的高性能分布反馈（DFB）激光器外延片和芯片，支持100G及以上速率的光通信应用。这些产品具备高调制带宽和低啁啾特性，直接集成于光模块中，满足工业标准如Telcordia GR-468，应用于数据中心和电信网络的信号发射端。
基于InP材料的多功能光电探测器（Multi-wavelength Photodetector）芯片，采用先进外延片技术，支持多波长探测（如1310nm和1550nm），用于光通信系统中的波长分复用（WDM）应用，具有高响应度、宽光谱范围和低串扰特点。
基于InP材料的雪崩光电二极管探测器芯片，通过外延工艺生产，适用于高灵敏度光信号探测，工作波长包括1550nm，用于长距离光通信和量子传感应用，具有内部增益放大功能、高量子效率和低噪声性能。
基于InP材料的高灵敏度PIN光电探测器芯片，采用外延片制成，响应范围覆盖800nm到1700nm波段，用于光通信信号接收，如光纤到户（FTTH）和传输系统，具有低暗电流、高响应速度和宽带特性。
基于InP或GaAs材料的法布里-珀罗激光器芯片，采用化合物半导体外延片技术，工作波长可定制在1310nm或1550nm等范围，用于低成本光通信模块如接入网和城域网，具有简单结构、高可靠性和良好量产稳定性。
基于GaAs材料的垂直腔面发射激光器芯片，通过外延片工艺制成，工作波长覆盖850nm波段，适用于智能传感应用如3D传感（例如智能手机人脸识别）、激光雷达（Lidar）和光互联，具有低阈值电流、高输出功率和小型化设计。
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融资次数
2
员工数量
100-499人
专利数量
61
公司简介
全磊光电股份有限公司总部成立于2016年11月，专注于III-V族化合物半导体材料外延片和芯片的研发、生产和销售，包含InP和GaAs及多种光电产品，主要为光通信和智能传感行业客户提供高性能的激光器（FP/DFB/VCSEL）和探测器（MPD/PIN/APD）外延片和芯片，产品技术处于国内领先、国际先进水平。
经营范围
光电子产品制造；光电子器件及其他电子器件制造；经营本企业自产产品的出口业务和本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料的进口业务（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；其他机械设备及电子产品批发；其他电子产品零售；电子元件及组件制造；集成电路制造；集成电路设计；新材料技术推广服务；其他未列明专业技术服务业（不含需经许可审批的事项）。
主营业务
专注于III-V族化合物半导体材料外延片和芯片的研发、生产和销售，主要为光通信和智能传感行业提供高性能激光器和探测器产品。
全磊光电股份有限公司
股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
￥7,516万
2016-11-17
张永
0592-6054661
503630305@qq.com
厦门火炬高新区（翔安）产业区同龙二路567号第一、二、三层