InP基APD探测器外延片技术
针对光通信和传感应用，全磊光电开发了InP基雪崩光电二极管（APD）外延片。关键技术创新在于引入梯度掺杂和倍增层设计，大幅提升增益带宽积（典型值>100 GHz），同时降低暗电流。通过优化载流子传输路径，该技术实现了高灵敏度（响应度>0.8 A/W）和低击穿电压，显著提高了长距离传输系统的信号质量。
GaAs基VCSEL探测器集成技术
基于GaAs材料，全磊光电研制的垂直腔面发射激光器（VCSEL）和高速探测器外延片，重点在于集成设计和能带工程。创新点包括采用多层量子阱结构和优化反射层，实现高功率密度（可达数百mW）和低串扰，支持短距离高精度传感应用。该技术提升了器件在宽温度范围（-40°C至85°C）的稳定性，减少了传统VCSEL的扩散电流损失。
InP基DFB激光器外延片技术
全磊光电采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术开发高性能InP基分布反馈（DFB）激光器外延片。创新点在于通过精确控制外延层厚度和掺杂浓度，实现低阈值电流（sub-mA级别）、高调制带宽（超过25 GHz）和高温度稳定性，从而满足高速光通信系统的苛刻需求。该技术避免了传统方法的晶格失配问题，提高了器件可靠性和成品率。
融资次数
2
员工数量
100-499人
专利数量
61
经营范围
光电子产品制造；光电子器件及其他电子器件制造；经营本企业自产产品的出口业务和本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料的进口业务（不另附进出口商品目录），但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；其他机械设备及电子产品批发；其他电子产品零售；电子元件及组件制造；集成电路制造；集成电路设计；新材料技术推广服务；其他未列明专业技术服务业（不含需经许可审批的事项）。
主营业务
专注于III-V族化合物半导体材料外延片和芯片的研发、生产和销售，主要为光通信和智能传感行业提供高性能激光器和探测器产品。
全磊光电股份有限公司
股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
￥7,516万
2016-11-17
张永
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厦门火炬高新区（翔安）产业区同龙二路567号第一、二、三层