芯片集成封装技术（COS/BOS）
在氮化铝陶瓷基板上实现激光巴条（Bar）的主动对准焊接，采用金锡共晶焊料实现热膨胀系数匹配，配合微通道液冷散热器，使封装热阻＜0.15 K/W，支撑单巴条连续输出功率＞250W。
垂直腔面发射激光器（VCSEL）技术
开发高反射率分布式布拉格反射镜（DBR）结构，实现>99.9%的反射率；采用氧化限制型电流孔径设计，在940nm波段实现单芯片瓦级连续输出功率，功率密度达kW/cm²级。
大功率激光芯片制造工艺
通过非球面腔面钝化技术抑制腔面光学灾变损伤（COD），结合电镀AuSn共晶焊料的无空洞封装工艺；采用嵌入式电极结构降低串联电阻，配合微通道冷却热管理技术实现芯片级高效散热。
高功率半导体激光芯片外延设计
基于砷化镓（GaAs）等III-V族化合物半导体材料体系，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）及分子束外延（MBE）技术，实现精密量子阱结构设计与外延生长，精确控制有源区载流子限制与光场分布。
融资次数
2
员工数量
-
专利数量
90
经营范围
一般经营项目是：经营范围：半导体激光器、仪器仪表、光电器设备及配件的研发、销售以及技术咨询；高新技术产业投资；经营进出口业务（以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；激光芯片的销售。，许可经营项目是：半导体激光器、激光芯片、仪器仪表、光电器设备及配件的生产。
主营业务
高端半导体激光器的研发和生产
深圳瑞波光电子有限公司
有限责任公司
￥2,190万
2011-10-21
刘翊
18938683986
zengguohua@raybowlaser.com
深圳市龙华区大浪街道浪口社区华荣路496号德泰工业区10号厂房4层