GaN器件设计与开发服务
提供GaN基器件的设计与开发服务，包括功率晶体管和射频器件如GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。服务涵盖器件建模、仿真、封装测试和产业化支持，确保高效率、高温稳定性和高频性能。器件设计针对通信基站、工业电源系统和消费电子设备，支持快速充电和数据传输应用。
GaN外延材料生长服务
专注于氮化镓（GaN）外延材料的生产服务，提供GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延片的定制化生长。材料具有高电子迁移率、低热阻和高击穿电压等特性，适用于高频和高功率应用。服务支持客户需求的外延层厚度、掺杂浓度和表面粗糙度优化，广泛应用于功率转换器和射频器件领域。
MEMS晶圆制造服务
提供大规模MEMS晶圆代工服务，基于6英寸和8英寸晶圆平台生产各类MEMS芯片。服务包括晶圆批量制造、测试和封装支持，应用于生物医疗设备（如DNA测序仪）、工业传感器、消费电子（如麦克风）和通信设备。技术能力包括高精度光刻、薄膜沉积和蚀刻工艺，确保良率和性能符合高端市场标准。
MEMS工艺开发服务
为客户提供微机电系统（MEMS）器件的定制化工艺开发服务，包括传感器设计、工艺验证和优化。服务涵盖完整的开发周期，从概念原型到可量产工艺，支持各种MEMS器件如加速度计、压力传感器和惯性测量单元的应用。工艺技术基于硅基微加工和特殊材料处理，确保高精度、低功耗和可靠性。
A股代码
300456.SZ
专利数量
14
经营范围
微电子器件、半导体器件、集成电路及配套产品的技术开发、技术服务、软件开发、技术咨询；产品设计；集成电路设计；制造电子计算机软硬件；销售微电子器件、半导体器件、通讯设备及其系统软件、计算机软件、电子计算机及其辅助设备、电子元器件；货物进出口，技术进出口，代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
主营业务为MEMS工艺开发与晶圆制造服务以及GaN材料与器件设计，核心聚焦于半导体制造和材料研发，致力于为物联网、人工智能等高科技行业提供关键技术和产品支持。
北京赛微电子股份有限公司
股份有限公司(上市、自然人投资或控股)
￥7.3221亿
2008-05-15
杨云春
010-59702077
ab@smeiic.com
北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区)