SiC功率器件解决方案
基于碳化硅(SiC)半导体材料，提供高性能功率芯片设计方案。通过SiC的优越物理特性，该方案实现更高开关速度和更低能耗，适用于高效能转换场合。解决方案包括芯片定制、封装集成和系统级测试支持。
IGBT功率模块解决方案
利用立昂微电子的IGBT芯片开发集成式功率模块，实现大电流和高压转换。解决方案包括模块设计、驱动电路优化和保护功能，提供完整的工业级功率控制平台，确保高可靠性和耐用性。应用范围覆盖新能源和工业自动化领域。
高压超结MOSFET解决方案
基于立昂微电子的超结MOSFET（SJ-MOSFET）芯片技术，专为高效能电源转换系统设计。该方案通过优化晶格结构和降低导通电阻，提升电源效率，适用于高频率开关应用场景。解决方案包括芯片设计、模块化封装和热管理支持，帮助客户实现高功率密度设计。
A股代码
605358.SH
员工数量
500-999人
专利数量
31
经营范围
一般项目：集成电路芯片及产品制造；半导体器件专用设备制造；集成电路制造；半导体器件专用设备销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；技术进出口；货物进出口；电子专用材料制造；电子专用材料研发；电子专用材料销售(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
专注于半导体功率芯片的设计、开发、制造和销售，为电子行业提供高效、可靠的功率解决方案。
杭州立昂微电子股份有限公司
股份有限公司(上市、自然人投资或控股)
￥6.7685亿
2002-03-19
王敏文
0571-86597207
qiulin_li@li-on.com
杭州经济技术开发区20号大街199号