浅磷扩散阻挡层制备技术
为提高重掺锑硅片在高温外延或器件工艺中的性能稳定性，立昂微开发了独特的硅片表层浅磷扩散阻挡层工艺。该技术在重掺锑硅片表面形成一层可控且薄的高浓度磷层，有效抑制了后续高温处理过程中锑原子的外扩散及杂质沾污。
重掺砷/锑硅单晶生长与制备技术
针对高端功率器件、微波射频器件用大直径硅片需求，立昂微在重掺砷（As）、重掺锑（Sb）硅片制备方面掌握核心技术。包括精确控制掺杂浓度均匀性、降低晶格缺陷密度、优化热场设计实现稳定生长等关键技术环节。尤其在超高电阻率（>100 ohm·cm）重掺硅片的制备工艺上具备显著优势，满足高压器件对基材的高要求。
A股代码
605358.SH
员工数量
500-999人
专利数量
31
经营范围
一般项目：集成电路芯片及产品制造；半导体器件专用设备制造；集成电路制造；半导体器件专用设备销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；技术进出口；货物进出口；电子专用材料制造；电子专用材料研发；电子专用材料销售(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
专注于半导体功率芯片的设计、开发、制造和销售，为电子行业提供高效、可靠的功率解决方案。
杭州立昂微电子股份有限公司
股份有限公司(上市、自然人投资或控股)
￥6.7685亿
2002-03-19
王敏文
0571-86597207
qiulin_li@li-on.com
杭州经济技术开发区20号大街199号