电吸收调制激光器（EML）集成技术
该技术采用磷化铟（InP）基材料的电吸收调制器与DFB激光器单片集成，支持50Gbps和100Gbps高速传输。创新点包括优化的调制器吸收区设计实现低驱动电压（<3V）、高速响应特性（上升/下降时间<25ps）、以及低啁啾系数（<0.1nm），满足400G光模块的需求，同时通过创新封装降低热阻抗和串扰。
高速DFB半导体激光器芯片技术
该技术基于磷化铟（InP）材料体系，采用先进的分子束外延（MBE）生长和分布式反馈（DFB）光栅结构，实现高达25Gbps到56Gbps的数据传输速率。创新点包括低阈值电流设计（<10mA）、高温度稳定性（工作温度范围-40℃至85℃）、以及单片集成波导技术，解决了高速光通信中的啁啾和功率波动问题，提升信号完整性和可靠性。
细分行业
A股代码
688498.SH
员工数量
100-499人
专利数量
31
经营范围
一般项目：半导体材料和器件的研发、研制、生产、销售、技术咨询；自营和代理各类商品和技术的进出口业务(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
高速通讯用半导体芯片的研发、生产与销售，服务于光通信、数据中心和移动通信领域，核心产品包括激光器芯片等光电子器件。
陕西源杰半导体科技股份有限公司
股份有限公司（外商投资、上市）
￥8,546万
2013-01-28
ZHANGXINGANG
029-38011190
wangyonghui@yj-semitech.com
陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号