湿电子化学品
包括高纯度酸类（如氢氟酸用于晶圆清洗和蚀刻）、碱类（如氢氧化铵用于表面处理）、溶剂（如异丙醇用于漂洗）以及专用清洗液。这些化学品应用于晶圆制造中的清洗、蚀刻和去光刻胶步骤，需符合SEMI标准以确保超低金属离子含量（如ppb级别），满足半导体良率要求。
光刻胶及辅材
光刻胶是用于光刻工艺的光致抗蚀剂，通过紫外线或电子束曝光后在晶圆表面形成微细图案，支持先进制程节点（如7nm以下）。辅材包括显影液、抗反射涂层（BARC）和边缘保护剂，用于增强分辨率、减少光散射和提高良率。产品涵盖G-line、I-line和KrF/ArF光刻胶类型。
电子特种气体
高纯度气体用于半导体晶圆加工的蚀刻、掺杂和沉积工艺。典型产品包括六氟化氙用于深紫外光刻的蚀刻剂，三氟化氮用于化学气相沉积过程的清洁剂，以及氨气用于氮化物层的形成。纯度要求极高（通常≥99.9999%），以避免污染并提升芯片性能。
半导体前驱体材料
这些材料应用于半导体制造中的薄膜沉积工艺，如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD），主要产品包括高纯度有机金属化合物，例如正硅酸四乙酯（TEOS）用于二氧化硅膜形成，以及三甲基铝（TMA）用于氧化铝膜。这些材料用于构建电介质层、导体层等关键结构，需确保高纯度（如9N级别）以减少缺陷。