锑化铟晶圆片
2-4英寸的锑化铟半导体晶圆片，属于III-V族化合物半导体，主要用于高性能红外探测、热成像和磁场传感器等应用，具有优异的窄带隙半导体特性，适合长波长光电子器件。
磷化铟晶圆片
2-4英寸的磷化铟半导体晶圆片，基于III-V族化合物半导体材料，常见于光通信器件、激光二极管和高效率晶体管的生产，具有高电子饱和速度和低噪声特性。
砷化镓晶圆片
2-4英寸的砷化镓半导体晶圆片，属于III-V族化合物半导体，广泛应用于高频电子器件、微波集成电路、发光二极管和太阳能电池等领域，具备良好的光电性能和射频特性。
锑化镓晶圆片
2-4英寸的锑化镓半导体晶圆片，基于III-V族化合物半导体材料，主要用作红外探测器、热成像设备和激光器的基板衬底材料，具有高电子迁移率和优异的热稳定性。
员工数量
小于50人
专利数量
9
经营范围
一般项目：电子专用材料制造；电子专用材料研发；电子专用材料销售；货物进出口；技术进出口；电子（气）物理设备及其他电子设备制造；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；居民日常生活服务。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶圆片及相关产品的设计、研发与生产，核心包括锑化镓GaSb、砷化镓GaAs、磷化铟InP和锑化铟InSb等晶圆片。
青岛浩瀚全材半导体有限公司
其他有限责任公司
2020-12-01
张栓平
山东省青岛市胶州市九龙街道办事处站前大道与204国道交界处北500米路西