氧化镓单晶衬底
镓创科技提供高纯度β-氧化镓单晶衬底，该产品基于公司自主研发的无铱坩埚单晶生长技术制造，具有优异的晶体结构均匀性和低缺陷密度，适用于超宽禁带半导体功率器件如场效应晶体管（FET）和肖特基二极管的研发与测试。这些衬底可在2英寸或更大尺寸上提供，支持高温、高频和高功率应用，广泛应用于新能源、电力电子和5G通信领域。产品技术细节包括独特的生长工艺以避免传统铱坩埚污染，提高材料性能和可靠性。
员工数量
小于50人
专利数量
16
经营范围
技术推广、技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询；软件开发；基础软件服务；应用软件服务；集成电路设计；产品设计；零售电子元器件；电子元器件的研发。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
专注于超宽禁带半导体氧化镓材料与相关器件的研发、制造及设备开发，推动其在电力电子等领域的创新应用。
北京镓创科技有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥154万
2021-01-15
李龙
jiachuang_keji@163.com
北京市顺义区昌金路赵全营段56号院1号楼1层3070室