镓创科技
超宽禁带半导体氧化镓材料研发商
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无铱坩埚单晶生长技术
镓创科技开发的创新技术,采用替代铱坩埚的耐高温、抗腐蚀材料体系(如特殊陶瓷或铂族金属合金)进行氧化镓单晶制备。该技术通过在高温氧化环境中的稳定生长工艺,避免传统方法带来的铱污染和高成本问题,实现高纯度、低缺陷单晶的生长。创新点包括:国际首创的非铱坩埚设备设计、优化的热场控制、及环保材料选择,解决氧化镓单晶生长中的关键瓶颈。
员工数量
小于50人
专利数量
16
经营范围
技术推广、技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询;软件开发;基础软件服务;应用软件服务;集成电路设计;产品设计;零售电子元器件;电子元器件的研发。(市场主体依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
主营业务
专注于超宽禁带半导体氧化镓材料与相关器件的研发、制造及设备开发,推动其在电力电子等领域的创新应用。
公司全称
北京镓创科技有限公司
公司类型
有限责任公司(自然人投资或控股)
注册资本
¥154万
成立时间
2021-01-15
法定代表人
李龙
邮箱
jiachuang_keji@163.com
地址
北京市顺义区昌金路赵全营段56号院1号楼1层3070室