智能化栅极驱动技术
内置电压/温度实时监测功能的智能栅极驱动器，集成dV/dt抑制电路与米勒钳位保护，采用自适应死区控制算法实现软开关时序优化。通过3D堆叠封装整合驱动IC与功率芯片，缩短栅极回路至5nH以内。
宽禁带半导体器件集成
基于碳化硅（SiC）材料的第三代半导体技术，开发具有肖特基势垒二极管（SBD）与JFET集成的单芯片功率模块。通过外延层掺杂浓度梯度控制技术实现1200V/15A等级器件，开关损耗比硅基器件降低70%，并采用铜柱凸点倒装封装提升散热效率。
硅基功率半导体芯片设计
专注于IGBT、MOSFET等硅基功率器件的芯片级创新设计，采用复合终端结构优化与载流子注入增强技术实现高阻断电压与低导通损耗的平衡。通过自对准双扩散工艺（SBD）精确控制沟道尺寸，提升开关频率至MHz级别，降低动态损耗15%以上。
员工数量
小于50人
专利数量
4
经营范围
一般项目：半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；集成电路设计；集成电路制造；集成电路销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；电子元器件制造；电子元器件批发；电子元器件零售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；工程和技术研究和试验发展；货物进出口；技术进出口；进出口代理（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
功率半导体芯片的设计研发，核心业务在于开发和提供高性能、高可靠性的半导体解决方案，专注于IGBT、MOSFET等功率器件的创新与应用。
江苏临德半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
2021-02-10
陈炳慧
tina.sun@lindesemi.cn
无锡经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼523-23