磁控溅射镀膜系统解决方案
该解决方案基于磁控溅射技术，在氩气氛围中沉积金属或合金薄膜，提供均匀、高密度的涂层；系统采用磁场优化设计和射频/直流溅射模式，适用于大面积晶圆，确保薄膜低应力、高导电性，为高性能半导体器件提供可靠镀膜工艺。
电子束蒸镀系统解决方案
该解决方案利用电子束蒸发技术沉积金属或介质层，具备高真空环境和精确束流控制，实现均匀、致密的薄膜镀层，应用于电极接触和介电层沉积；系统支持多源共蒸，确保薄膜纯度和附着力，提升器件导电性与可靠性。
快速退火系统解决方案
该解决方案采用快速热退火技术，在毫秒级时间内实现温度脉冲处理，用于激活掺杂点、修复晶格缺陷，系统配备高精度光热源和温场均匀化设计，避免热应力损伤，提高器件良率和电学性能。
高温氧化系统解决方案
该解决方案在1200°C以上高温环境中进行SiC晶圆氧化处理，形成高质量的SiO2膜层；系统具备精确的温度梯度控制和气氛调控能力，确保膜层均匀、致密，减少界面缺陷，提升栅极介质可靠性，适用于高密度集成电路制备。
SiC高温离子注入系统解决方案
该解决方案利用高温（800°C以上）离子注入技术，实现精确的掺杂控制和低损伤注入，提高器件激活率和性能一致性；系统采用耐高温组件和闭环控温机制，确保在恶劣环境下稳定运行，适用于高精度SiC器件的掺杂工艺。
高温SiC外延系统解决方案
该解决方案基于高温化学气相沉积（CVD）技术，在1600°C以上环境中生长SiC外延层，具备精确的层厚控制、掺杂浓度均匀和缺陷抑制功能，优化表面平整度，适用于大尺寸晶圆，确保外延质量，提升器件性能和可靠性。
大尺寸SiC单晶生长系统解决方案
该解决方案提供高纯度、低缺陷的SiC单晶材料生长技术，支持6英寸及以上尺寸晶体生长，采用先进的温场控制和原料提纯工艺，实现稳定、连续的单晶生长过程，确保材料一致性和良率，满足高功率半导体器件制造需求。
员工数量
小于50人
专利数量
43
经营范围
一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；机械设备研发；工程和技术研究和试验发展；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；机械设备销售；半导体器件专用设备销售；半导体器件专用设备制造；电力电子元器件销售；电子专用材料销售；电子专用材料研发；电子专用设备销售；电子专用设备制造；光伏设备及元器件销售；半导体照明器件销售；半导体分立器件销售；技术进出口；进出口代理；货物进出口。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
半导体装备的研发、生产、销售和服务，专注于宽禁带半导体和新能源领域，开发包括SiC单晶生长系统、SiC高温外延生长系统、高温离子注入系统等关键设备，旨在推动产业自主可控发展
季华恒一（佛山）半导体科技有限公司
其他有限责任公司
2021-06-22
程远贵
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佛山市南海区桂城街道港口路23号20座102房之一（住所申报）