季华恒一
半导体装备研发商
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磁控溅射镀膜系统
使用磁控溅射技术沉积薄膜,创新点在于射频电源和靶材优化,实现低温、低损伤镀膜,并结合气体比例控制,提高膜层导电性和耐腐蚀性能。
电子束蒸镀系统
系统通过电子束能量蒸镀金属或介电材料形成薄膜,创新点在于多源蒸发和动态角沉积设计,提升薄膜附着力、纯度和均匀性,满足高精度电极制造需求。
快速退火系统
系统利用瞬间高温脉冲(毫秒级)实现快速加热和冷却,创新点在于集成光热处理和温度反馈算法,确保晶格恢复和激活掺杂,减少热预算并提高材料性能。
高温氧化系统
此系统通过高温热氧化过程(约1100°C)形成氧化物层,创新点在于采用气氛闭环控制和快速升降温机制,优化氧化膜质量和界面稳定性,用于提升器件绝缘性能。
高温离子注入系统
系统在高温(高达1000°C)下进行离子注入,采用光束聚焦和精确剂量控制技术,创新点在于结合了动态能量调制,减少晶格损伤并提升注入效率,特别适应宽禁带半导体需求。
SiC高温外延生长系统
此系统使用高温化学气相沉积法,在SiC基底上外延生长高质量薄膜,创新点在于整合原位监测技术和多区温度调控,确保外延层厚度和掺杂精密度,提高器件可靠性。
SiC单晶生长系统
该系统基于高温物理气相传输法或化学气相沉积技术,在超过2000°C的环境下生长碳化硅单晶,创新点在于采用智能温度梯度控制和高真空优化设计,减少晶体缺陷并提升直径均匀性,适用于国产化生产线。
科创行业
员工数量
小于50人
专利数量
43
经营范围
一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;机械设备研发;工程和技术研究和试验发展;集成电路销售;集成电路芯片及产品销售;机械设备销售;半导体器件专用设备销售;半导体器件专用设备制造;电力电子元器件销售;电子专用材料销售;电子专用材料研发;电子专用设备销售;电子专用设备制造;光伏设备及元器件销售;半导体照明器件销售;半导体分立器件销售;技术进出口;进出口代理;货物进出口。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
主营业务
半导体装备的研发、生产、销售和服务,专注于宽禁带半导体和新能源领域,开发包括SiC单晶生长系统、SiC高温外延生长系统、高温离子注入系统等关键设备,旨在推动产业自主可控发展
公司全称
季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
公司类型
其他有限责任公司
成立时间
2021-06-22
法定代表人
程远贵
邮箱
17708441997@163.com
地址
佛山市南海区桂城街道港口路23号20座102房之一(住所申报)