碳化硅MOSFET功率芯片
贝茵凯半导体开发的碳化硅（SiC）基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），利用SiC材料的宽禁带特性，提升击穿电压和开关速度。创新点在于完全自主的版图优化和迭代仿真验证，确保低导通电阻和高频性能。技术突出快速切换能力和高温稳定性，适用于高效能转换系统，降低系统尺寸和能耗。
第7代硅基IGBT功率芯片
贝茵凯半导体开发的先进绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术，基于硅基材料优化，适用于高电压、大电流应用。创新点体现在完全自主的版图设计和仿真验证流程，确保减少开关损耗、提升热管理效率，并支持国产化替代需求。核心是通过改进沟槽栅结构和场截止技术，实现更高的可靠性及性能稳定性，适用于动态负载场景。
员工数量
-
专利数量
6
经营范围
一般项目：集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；半导体器件专用设备制造；电力电子元器件制造；电子专用材料制造；电子元器件制造；电子专用设备销售；电子专用材料销售；仪器仪表销售；半导体器件专用设备销售；软件销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路销售；电子元器件零售；集成电路设计；电子专用材料研发；集成电路芯片设计及服务；软件开发；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）（不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
贝茵凯半导体专注于先进功率器件的设计、开发、制造及其相关产品集成，主营业务集中在高性能的功率芯片领域，为新能源、工程机械等多个行业提供核心电子部件。
北京贝茵凯微电子有限公司
其他有限责任公司
2022-05-31
何林
liu.yanting@byinka.cn
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