高介电率材料
用于28纳米以下的12吋晶圆制程，作为中期投入产品中的一种。主要应用于高k栅介质等部分，以提高芯片性能和密度；市场需求增长，但国内生产受限，需通过研发降低进口依赖。
阻障材料
用于28纳米以下的12吋晶圆制程，作为中期投入产品中的一种。主要用于防止芯片中金属扩散等，提升可靠性和性能；属关键材料，国内供应缺口大，进口占比高，有战略重要性。
扩散材料
用于28纳米以下的12吋晶圆制程，作为中期投入产品中的一种。应用于芯片制造中的扩散工艺，帮助形成半导体结构；目前市场需求大，但国内生产能力有限，依赖进口。
绝缘材料
用于28纳米以下的12吋晶圆制程，作为中期投入产品中的一种。主要用于芯片内部绝缘层形成，防止电流泄露；国内供应不足，进口依赖性强，急需国产替代以支持先进制程发展。
电极材料
用于28纳米以下的12吋晶圆制程，作为中期投入产品中的一种。主要应用于芯片电极形成部分，当前国内仍需大量进口；部分材料可用于军事用途，国外对此类产品实施专门审批出口管制。
硅系列前驱体产品
高端芯片制程用硅系列前驱体产品，专门针对逻辑和存储器芯片制造中的原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）等先进制程。广泛应用于集成电路成膜制造工艺环节，是芯片产业发展不可或缺的关键材料，尤其满足国内新建芯片厂向高端制程升级的需求。产品系列覆盖多种成膜材料，用于芯片制造的核心环节。
员工数量
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经营范围
一般项目：电子专用材料研发；电子专用材料销售；电子专用材料制造；合成材料制造（不含危险化学品）；合成材料销售；化工产品销售（不含许可类化工产品）；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；以自有资金从事投资活动；货物进出口；技术进出口（除许可业务外，可自主依法经营法律法规非禁止或限制的项目）
主营业务
武汉芯辰科技主营业务为芯片用前驱体材料的研发、生产和销售，专注于电子化学材料领域，提供高端芯片制程所需的先进成膜材料解决方案，重点支持国内芯片产业国产化替代需求和定制化产品开发。
武汉芯辰科技有限责任公司
其他有限责任公司
2022-07-13
项慧
pengrui@whxckj.cn
武汉东湖新技术开发区关南四路37号办公楼207室（自贸区武汉片区）