6英寸碳化硅衬底晶圆
该产品采用液相法单晶炉制备技术和多元活性助溶技术生产，直径为150毫米（6英寸），厚度通常为350微米至500微米，材料为4H-SiC结构（如N型或半绝缘型），主要用于高压、高频功率半导体器件的制造，如用于新能源汽车、光伏逆变器等领域。其特点是通过液相法降低了晶体生长的缺陷密度（如减少微管和线位错），目标是实现低成本、高一致性的商业化生产。基于公开资料，该衬底晶圆在2023年已进行小批量中试，但尚未实现大规模量产。