碳化硅液相法晶体生长技术
臻晶半导体专注于液相法生长碳化硅（SiC）晶体，核心技术包括液相法单晶炉制备技术和多元活性助溶技术。液相法通过在熔融溶剂中生长晶体，减少微管和位错等缺陷，相较于传统物理气相传输（PVT）法，具有更低的缺陷密度（如可降低至100/cm²以下）和更高的晶体纯度。多元活性助溶技术利用多元活性成分优化溶剂性能，降低生长温度（可降至1500-1700°C范围），提高生长速率，实现高效率的6英寸SiC晶体生产。