6英寸GaN-on-SiC外延材料
聚能晶源基于6英寸（150mm）碳化硅衬底提供的氮化镓外延材料技术。针对微波射频应用优化，适用于5G通信基站功率放大器、雷达系统、卫星通信等高频、高功率场景。该产品特点包括优异的热导率（SiC衬底提供卓越的热管理）、高击穿电压（>1500 V）、高频率稳定性（可达40 GHz以上）和低寄生电容，提升了射频效率和可靠性。技术优势还包括界面层控制优化以减少电流崩溃现象，满足国防和工业应用对耐用性和性能的严苛要求。
8英寸GaN-on-Si外延材料
聚能晶源基于8英寸（200mm）硅衬底开发的氮化镓外延片技术。专为功率电子器件设计，如高电子迁移率晶体管（HEMT），应用于快速充电器、电动汽车逆变器、数据中心电源转换等高效率、高功率密度场景。该产品特点包括低缺陷密度（缺陷密度小于10^8/cm²）、高电流能力（支持超过1500 V击穿电压）、低电阻（比GaAs更低）和可扩展的制造工艺，确保器件在高频、高温下性能稳定，同时降低成本。目标客户为半导体芯片设计厂商和系统集成商。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
6
经营范围
半导体材料的设计、开发、生产、销售；半导体领域技术开发、技术推广、技术转让、技术服务、技术咨询；货物进出口，技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外，法律、行政法规限制的项目取得许可后方可经营）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
主营GaN外延材料的研发、生产和销售，服务于功率电子和微波射频器件市场，提供高质量、低成本的材料产品与技术解决方案。
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
2018-06-03
袁理
xiao.wang@cohenius.com
山东省青岛市即墨区服装工业园孔雀河三路56号