6英寸GaN-on-SiC外延材料技术
该技术在6英寸碳化硅（SiC）衬底上外延生长GaN膜，利用SiC的高热导率特性，结合先进界面工程（如采用过渡层减少应力和位错），实现高性能高功率密度应用。创新点包括缺陷抑制技术和精确的生长温度控制，提升材料在高压高温环境下的稳定性和电子迁移率。
8英寸GaN-on-Si外延材料技术
该技术在8英寸硅（Si）衬底上生长高质量氮化镓（GaN）外延层，通过创新的缓冲层结构设计（如AlN/AlGaN多层缓冲）有效管理晶格失配和热失配问题，实现低缺陷密度生长。突出创新点包括原位监测技术优化GaN层的均一性和生长速率，提升外延材料电学特性。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
6
经营范围
半导体材料的设计、开发、生产、销售；半导体领域技术开发、技术推广、技术转让、技术服务、技术咨询；货物进出口，技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外，法律、行政法规限制的项目取得许可后方可经营）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
主营GaN外延材料的研发、生产和销售，服务于功率电子和微波射频器件市场，提供高质量、低成本的材料产品与技术解决方案。
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
2018-06-03
袁理
xiao.wang@cohenius.com
山东省青岛市即墨区服装工业园孔雀河三路56号