石墨烯卷对卷设备
针对连续生产设计的设备，用于石墨烯在卷材上的沉积和转移，实现高效率和低成本的大规模石墨烯膜制造。
石墨烯化学气相沉积（CVD）设备
专用于石墨烯材料的制备设备，在催化衬底上通过化学气相沉积生长单层或多层石墨烯，支持高质量二维材料的批量化生产。
坩埚下降炉
基于Bridgman法或相关技术的设备，用于晶体生长，通过在下降坩埚中控制冷却速率，实现特定材料如蓝宝石的单晶制备。
晶体提拉炉
用于直拉法（Czochralski）晶体生长的设备，常见于硅单晶的生产，通过拉晶和旋转过程获得大尺寸单晶棒。
碳化硅（SiC）高温退火炉
为SiC半导体设计的退火设备，在高温下进行热处理，优化材料的晶体结构和电学特性，减少晶格缺陷。
碳化硅（SiC）高温氧化炉
专用于SiC材料的高温氧化处理的设备，在高温下生成保护氧化层，提升半导体器件的可靠性和性能。
微波等离子化学气相沉积（MPCVD）设备
采用微波等离子体技术进行化学气相沉积的设备，适用于高质量金刚石或SiC薄膜的生长，具有沉积速率快和低温优势。
碳化硅（SiC）籽晶粘结设备
针对SiC晶体生长的专用设备，用于籽晶的精确粘结和定位，确保晶体生长的起始端一致性和晶向控制。
融资次数
1
员工数量
50-99人
专利数量
28
经营范围
半导体材料及集成电路设备、晶体设备、真空设备、机械设备（不含特种设备）、太阳能光伏设备及配件的生产加工、设计、技术开发、销售；批发、零售：仪器仪表；进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
半导体工艺设备的研发、生产与销售
山东力冠微电子装备有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥1,050万
2013-01-22
孙军伟
0531-87905298
liguan88@liguanchina.com
山东省济南市槐荫区太平河北路宽禁带半导体产业园E座