晶体热处理炉
专为半导体晶体设计的先进热处理设备。主要功能包括晶体生长后的高温退火处理、掺杂激活、应力消除等。该炉型需具备极高的温度均匀性、精确的温度控制(可达2500°C或更高)以及可控的气氛环境(真空或特定保护气氛)，以满足不同晶体材料(如SiC、金刚石等)的后工艺处理要求。
碳化硅源粉合成炉
用于生产碳化硅晶体生长所需的碳化硅原料粉体的设备。在高温下(通常超过2000°C)将高纯度的硅源和碳源按化学计量比混合反应，合成出满足特定粒径、纯度和化学计量比要求的SiC粉末。这是高质量SiC晶体生长的原料保障环节。
氮化铝生长设备
专用于生长氮化铝(AlN)晶体的设备。氮化铝是一种重要的宽禁带半导体材料，尤其是在深紫外光电子器件和高频大功率电子器件方面有巨大潜力。该设备同样采用高温生长技术，如改进的PVT或HVPE(氢化物气相外延)法，以实现高质量的AlN晶体生长。
金刚石生长设备 (MPCVD法)
基于微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术的金刚石生长设备。该设备利用微波能量在反应腔内激发气体(如氢气和甲烷)产生等离子体，在特定基板(如硅、碳化硅或金刚石籽晶)上沉积单晶或多晶金刚石薄膜/晶片。这是目前制备高纯度、高质量单晶金刚石的主流技术路线。
碳化硅晶体生长设备 (PVT法)
采用物理气相传输法(PVT)生长的碳化硅晶体设备。这是一种高温生长技术，通过在惰性气体环境或真空腔体内加热碳化硅源料，使其升华并在籽晶上再结晶形成碳化硅单晶锭。这类设备是制造高性能SiC衬底的核心装备，对温度场、压力和气流的控制要求极高。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
5
经营范围
一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；专用设备制造（不含许可类专业设备制造）；金属材料销售；石墨及碳素制品销售；机械设备销售；仪器仪表销售；半导体器件专用设备销售；集成电路芯片及产品销售；软件开发；计算机软硬件及辅助设备批发；计算机软硬件及辅助设备零售；五金产品研发；五金产品批发；五金产品零售；技术玻璃制品销售(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
专注于研发、制造和销售用于第三代半导体材料（如碳化硅、金刚石和氮化铝）的生长设备及辅助设备，包括晶体生长、合成和热处理等全过程解决方案。
杭州晶驰机电科技有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
2021-06-30
郭森
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