1200V SiC MOSFET
这是一种额定电压为1200V的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），专为高电压和高功率应用设计。它提供低导通损耗、出色的开关动态性能、抗短路能力和高可靠性，工作温度范围宽达-40°C至175°C，常用于工业自动化、电网基础设施、轨道牵引系统等场景，能实现高效、小型化和轻量化设计，降低系统维护成本。
650V SiC MOSFET
这是一种额定电压为650V的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），采用先进的沟槽栅结构技术。它具有低导通电阻、高速开关性能、低栅极驱动需求和优异的热管理能力，支持高频率运作（100kHz以上）和高效功率转换，适用于电动汽车车载充电器、服务器电源和可再生能源系统等领域，能提升整体系统功率密度和效率。
1200V SiC肖特基二极管
这是一种额定电压为1200V的碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD），基于高性能碳化硅材料设计。它具备优异的反向阻断能力、低开关损耗、快速开关特性（纳秒级别响应时间）和高温耐用性，最高工作温度可达200°C，适合用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、数据中心电源等高功率应用，能有效降低能源损耗并延长设备寿命。
650V SiC肖特基二极管
这是一种额定电压为650V的碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD），采用先进的碳化硅半导体技术制造。它具有低正向压降、无反向恢复电流、高开关频率（可达到MHz级别）和高温度稳定性（工作温度范围宽至-55°C至175°C）等特点，适用于高频开关电源、功率因数校正（PFC）电路、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域，能显著提升系统效率和可靠性。
融资次数
5
专利数量
88
经营范围
从事半导体科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，电子元器件、电子产品、计算机软件及辅助设备的批发、佣金代理（拍卖除外）和进出口，并提供相关的配套服务，计算机系统集成。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
专注于半导体器件技术的研发与服务，提供包括晶片测试系统、芯片边缘结构及制作、芯片终端结构等核心技术方案，致力于提升半导体器件的性能、可靠性和量产能力。
飞锃半导体（上海）有限公司
有限责任公司(港澳台投资、非独资)
2018-06-15
王辉
maggiema@alpha-powers.com
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