BCD工艺集成技术
结合双极型晶体管(Bipolar)、互补金属氧化物半导体(CMOS)和扩散金属氧化物半导体(DMOS)的集成工艺，实现高精度模拟与高功率器件融合，创新点在于多技术协同优化，提升整体系统可靠性。
SGT MOSFET技术
超级槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过创新槽栅结构减少源漏电阻和寄生电容，突出优势为高效能耗和快速响应能力，广泛应用于低电压设备。
高压IGBT技术
自主研发的650V至1200V绝缘栅双极晶体管技术，采用沟槽结构和优化栅极设计，创新点包括高集成度封装和低损耗开关特性，适用于高温高功率场景。
细分行业
A股代码
600460.SH
员工数量
1000-4999人
专利数量
1084
经营范围
电子元器件、电子零部件及其他电子产品设计、制造、销售，经营进出口业务（范围详见外经贸部批文）。
主营业务
半导体集成电路及分立器件的设计、开发、生产和销售，重点关注功率器件和模拟IC在汽车、工业与消费电子应用。
杭州士兰微电子股份有限公司
其他股份有限公司(上市)
￥16.6407亿
1997-09-25
陈向东
0571-88210880
silan@silan.com.cn
浙江省杭州市黄姑山路4号