碳化硅MOSFET驱动芯片
瞻芯电子设计的专用驱动集成电路芯片（如IVCR1401型号），用于高效驱动SiC MOSFET器件。该芯片提供高驱动电流（输出峰值电流达4A）、低传播延迟（约25ns）和隔离功能，支持负偏压和防闩锁设计以确保稳定开关。集成了过压保护、过温保护和欠压锁定功能，适用于高可靠性场景，如工业电源模块、数据中心电源和可再生能源转换系统，优化SiC器件的动态性能和系统安全性。
碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）
瞻芯电子提供的6英寸碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode），覆盖650V和1200V电压范围，如IDSB65R045G1型号的45A电流能力。特性包括零反向恢复电流、高速开关能力（反向恢复时间小于100ns）、低正向压降（约1.5V）和高热稳定性，专用于高频整流应用，如直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、太阳能发电系统和电动车车载充电器，减少系统整体尺寸和功耗。
碳化硅MOSFET
瞻芯电子开发的6英寸碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），电压等级包括650V和1200V系列，具有低导通电阻（例如IMW65R090M1H型号的90mΩ）、高开关频率（可达数百kHz）、低损耗和高温度耐受性（最高175°C）。该产品适用于高功率高效率应用，如电动汽车充电桩、光伏逆变器、工业电机驱动和服务器电源系统，采用优化的栅极结构和封装技术以减少热阻和电磁干扰。
融资次数
8
员工数量
50-99人
专利数量
50
经营范围
从事电子科技、半导体科技、光电科技、智能科技领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询，计算机系统集成，电子元器件、电子产品、通讯设备、机电设备及配件的销售，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
研发、制造和提供碳化硅功率半导体器件及驱动芯片的系统解决方案，专注于新能源产业的优化需求
上海瞻芯电子科技股份有限公司
股份有限公司(外商投资、未上市)
￥6,488万
2017-07-17
张永熙
021-60780171
jian.chen@inventchip.com.cn
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区海洋四路99弄11、13号8层