虚拟IDM协同制造体系
整合本土晶圆厂（如华虹宏力）、封装厂（如长电科技）资源构建的协同生产链，通过PDK标准化实现设计-制造接口统一，建立覆盖晶圆测试、CP测试、FT测试的全程质量控制体系。
SiC专用驱动芯片技术
针对SiC器件开关特性开发的专用驱动IC，集成负压关断（-5V抗扰）、米勒钳位（防误导通）、有源米勒钳位（AMC）及短路保护功能。采用高速电平位移技术实现ns级传输延迟，通过自适应死区控制降低开关损耗。
SiC肖特基势垒二极管（SBD）工艺
通过JBS（结势垒肖特基）结构设计实现高阻断电压与低泄漏电流，采用创新的金属-半导体接触工艺控制肖特基势垒高度，结合场限环终端技术实现雪崩耐量优化。
6英寸SiC MOSFET制造工艺
基于6英寸碳化硅晶圆的金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术，包括栅氧生长、元胞设计、离子注入及终端保护等核心工艺。采用优化沟槽结构或平面栅设计，实现高电子迁移率与低界面态密度，突破高温栅氧可靠性技术瓶颈。
融资次数
8
员工数量
50-99人
专利数量
50
经营范围
从事电子科技、半导体科技、光电科技、智能科技领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询，计算机系统集成，电子元器件、电子产品、通讯设备、机电设备及配件的销售，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
研发、制造和提供碳化硅功率半导体器件及驱动芯片的系统解决方案，专注于新能源产业的优化需求
上海瞻芯电子科技有限公司
股份有限公司(外商投资、未上市)
￥6,488万
2017-07-17
张永熙
021-60780171
jian.chen@inventchip.com.cn
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区海洋四路99弄11、13号8层