碳化硅化学气相沉积外延技术
天域半导体专注于碳化硅外延生长技术的研发和生产，核心采用化学气相沉积（CVD）方法，在碳化硅衬底上沉积高质量外延层。该技术通过优化生长参数（如温度、压强、气源流量）实现缺陷密度的控制和外延层的均匀性增长，已达到了国际先进水平。创新点包括与中国科学院半导体所合作成立的碳化硅技术研究院，开发了先进的缺陷抑制工艺和规模化生产技术，支持高功率半导体器件的制造。
融资次数
4
员工数量
500-999人
专利数量
96
经营范围
研发、生产、销售：碳化硅外延晶片，半导体材料及器件，相关技术咨询、技术转让、技术服务；货物、技术进出口。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
主营业务
碳化硅外延片的研发、生产和销售
广东天域半导体股份有限公司
股份有限公司(非上市)
￥3.632亿
2009-01-07
李锡光
0769-22898238
yang.jingcheng@sicty.com
东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼