碳化硅功率器件
芯长征的碳化硅功率器件基于碳化硅（SiC）材料技术，专门设计用于高耐压、高温和高频应用环境。创新点体现在独特的器件结构（如平面栅极MOSFET设计），通过精细化制程控制实现超低导通电阻和低动态损耗，支持更高开关频率和更高结温操作。该技术结合先进的封装方法，提高散热性能和器件寿命，适用于严苛应用场景。
高压CoolMOS技术
芯长征的高压CoolMOS技术是一种优化的功率MOSFET结构，设计用于600V以上高电压应用，创新点包括超结（Super-Junction）结构的改进设计，显著降低导通电阻（Rdson）至行业领先水平，同时通过先进的栅极控制技术提高开关频率和效率。该技术采用全链条工艺控制，从芯片设计到封装，确保高温下稳定运行，实现更低的能耗和更高的功率密度。
细分行业
融资次数
10
专利数量
48
经营范围
一般项目：集成电路设计；电子元器件制造；电子测量仪器制造；仪器仪表制造；信息系统集成服务；物联网技术服务；软件开发；信息技术咨询服务；技术进出口；货物进出口；进出口代理（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
专注于新型功率半导体器件的研发、设计和产业化，核心集中在高效MOSFET和SiC等芯片技术的开发与应用支持，服务于工业自动化和新能源领域。
江苏芯长征微电子集团股份有限公司
股份有限公司(非上市)
￥4.178亿
2017-03-17
朱阳军
mp-hr@mp-tech.cn
南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室（江宁开发区）