产品&解决方案
威兆半导体开发绝缘栅双极型晶体管（IGBT）产品，适用于高功率电机驱动和逆变器应用。该方案提供低饱和电压和快速开关特性，优化了功率损耗，并结合保护电路设计，增强了系统的耐用性和安全性。
威兆半导体提供高性能功率MOSFET器件，用于电源转换系统，支持高频率开关操作。产品包括高压和低压MOSFET，适用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统，具有出色的热管理能力和高功率密度，帮助提升系统效率并降低能耗。
超级结（Super Junction）MOSFET，采用特殊层叠结构实现高压性能，电压范围覆盖500V至900V，适用于高效开关电源、服务器电源、通讯设备电源和新能源应用；相比传统MOSFET，具有更低的导通电阻（Rds(on)）、更快的开关速度和更好的Eoss（输出电容能量）特性，能有效提升效率并减少电磁干扰（EMI）；产品设计注重可靠性和耐高温性能。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块，集成了IGBT芯片、快恢复二极管（FRD）和相关驱动电路，适合中等功率到高功率应用（如600V至1700V范围）；主要应用于工业电机控制、变频器、新能源汽车电驱动系统（如OBC和逆变器）、空调驱动和逆变电源设备，设计强调高开关频率、低开关损耗、高隔离电压和强鲁棒性，支持高效能的功率转换和热管理优化，结构紧凑便于集成到复杂系统中。
低压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），针对低电压（如20V至100V）和高电流应用优化，应用于电池管理系统（BMS）、移动设备充电器、笔记本电脑电源适配器、LED照明驱动和便携式电子产品；具备极低的导通电阻（通常在mΩ级别）、高速开关特性、低门电荷（Qg）和优异的温度稳定性，可提供高效率的能量转换和减小系统尺寸。
高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高电压应用设计，工作电压范围通常覆盖600V至900V以上，适用于开关电源、电源适配器、UPS系统、光伏逆变器和电源管理系统，具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关效率和优异的散热性能，可有效降低功耗并提升系统稳定性；产品系列包括平面型和多级结构MOSFET，支持快速开关操作和耐用设计。
融资次数
1
员工数量
-
专利数量
117
公司简介
深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012-12-04，注册地址为深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301，法定代表人为李伟聪，经营范围包括一般经营项目是：半导体产品、电子产品的设计、技术开发与销售；国内贸易；经营进出口业务; （以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）;电子元器件的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让。，许可经营项目是：电子元器件的制造
经营范围
一般经营项目是：半导体产品、电子产品的设计、技术开发与销售；国内贸易；经营进出口业务; （以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）;电子元器件的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让。，许可经营项目是：电子元器件的制造
主营业务
威兆半导体主要从事功率半导体器件的研发、设计、制造和销售，核心产品包括高性能MOSFET器件，广泛应用于电源管理、消费电子和工业控制等领域。
深圳市威兆半导体股份有限公司
其他股份有限公司(非上市)
￥6,188万
2012-12-04
李伟聪
18123789405
annie.xie@vgsemi.com
深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301