IGBT模块集成技术
威兆半导体的IGBT（绝缘栅双极晶体管）技术采用先进的封装和驱动设计，核心创新包括低损耗结构和软开关拓扑，实现高压和高电流条件下的高效能量转换。特点包括优化的门极驱动和保护电路，提升耐压能力和热性能，适用于高功率应用场景。
功率管理IC设计
威兆半导体专注于高效能功率管理集成电路的设计，核心技术涉及高精度模拟电路和数字控制算法，包括多相降压转换器和自适应同步整流技术。创新点在于采用智能控制逻辑和低功耗设计，实现动态电压调整和高瞬态响应，以优化能源效率和稳定性。该技术针对小型化和高性能需求进行优化。
超结功率MOSFET技术
威兆半导体在功率半导体领域核心创新的技术之一，通过采用超结结构（Super Junction Technology），有效降低导通电阻（RDS(on)）并提高开关频率，同时优化单元密度和热设计。创新点包括独特的沟槽栅结构和先进制程，实现高功率密度、低损耗转换和高集成度，支持在高频和高效率环境中稳定运行。
融资次数
1
员工数量
-
专利数量
117
经营范围
一般经营项目是：半导体产品、电子产品的设计、技术开发与销售；国内贸易；经营进出口业务; （以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）;电子元器件的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售；计算机软件的研发、技术转让。，许可经营项目是：电子元器件的制造
主营业务
威兆半导体主要从事功率半导体器件的研发、设计、制造和销售，核心产品包括高性能MOSFET器件，广泛应用于电源管理、消费电子和工业控制等领域。
深圳市威兆半导体股份有限公司
其他股份有限公司(非上市)
￥6,188万
2012-12-04
李伟聪
18123789405
annie.xie@vgsemi.com
深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301