快恢复整流二极管
快速恢复整流二极管，具有短的恢复时间和高速开关特性，适用于高频整流应用。它在整流电路中减少反向恢复损耗，提高整体电路效率和功率密度。
Gate Drive IC
门驱动集成电路，专为驱动和控制功率开关器件（如MOSFET和IGBT）设计。提供精确的栅极驱动时序、保护功能（如短路和过温保护），确保系统运行的稳定性和可靠性。
SBD
肖特基二极管，具有低正向压降和快速恢复特性，适用于高频整流电路。它能有效减少能量损失，提高整流效率，常用于开关电源和高效能系统中。
IGBT
绝缘栅双极晶体管，结合MOSFET的输入特性和双极晶体管的输出特性，适用于中高功率开关应用。它在变频器、电机驱动等领域提供高效的开关控制和低损耗性能。
高压超结MOSFET
一种高性能的功率半导体器件，专为高压应用设计，提供低导通电阻和高开关速度，能显著降低功率损耗和提高电路效率。它常用于电源管理系统中，实现高效的能源转换和节能效果。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
34
经营范围
电子元器件的设计、开发、测试、销售、技术服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
专注于设计、研发与销售高性能功率半导体器件（包括高压超结MOSFET、IGBT、SBD、FRD）及栅极驱动IC，提供系统解决方案以提升能效、降低功耗。
江苏丽隽功率半导体有限公司
有限责任公司
￥3,020万
2015-01-27
范捷
sunny.w@pipsemi.com
无锡市锡山区二泉东路19号集智商务广场12楼