快恢复整流二极管
快恢复整流二极管采用高速掺杂工艺和双载流子设计，通过精确控制寿命时间和载流子复合速率实现快速恢复特性。创新点包括多级缓冲层和优化结终端结构，显著降低反向恢复时间和软恢复特性。该技术支持高温操作和低正向压降，在高频应用中减少开关损耗和EMI。
门驱动集成电路（Gate Drive IC）
门驱动IC技术通过单片集成驱动逻辑和功率级，提供高精度时序控制和隔离保护。创新点包括自适应死区时间算法和高压隔离工艺，结合专有的电平转移电路和故障诊断功能。该技术采用先进的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，实现低传播延迟和高噪声免疫力，优化系统响应速度和可靠性。
肖特基势垒二极管（SBD）
肖特基势垒二极管采用金属-半导体接触结构，利用钛或铂硅化物技术实现低正向压降和快速恢复特性。创新点包括优化的表面钝化层和载流子控制设计，显著降低反向漏电流和寄生电容。专有的晶格匹配工艺提高了高温稳定性和抗浪涌能力，适用于高频和高效率电源转换场景。
IGBT（绝缘栅双极晶体管）
IGBT技术结合了MOSFET的栅极控制能力和双极型晶体管的低导通损耗特性，采用先进的薄晶圆工艺和场终止层设计。公司专利的软切换技术和高密度单元结构优化了导通电压和关断损耗。创新点包括多级缓冲层集成和温度补偿机制，提升了功率密度和短路耐受能力，同时保证宽温度范围的性能稳定性。
高压超结MOSFET
高压超结MOSFET技术通过在器件结构中引入超结层（Super Junction），实现更高的击穿电压和更低的导通电阻。该技术采用垂直结构设计和先进的深槽刻蚀工艺，显著优化了电流分布和热管理，提升开关效率和可靠性。创新点包括专有的电荷平衡机制和多层外延生长技术，有效降低反向恢复电荷和动态损耗，适用于高功率密度应用。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
34
经营范围
电子元器件的设计、开发、测试、销售、技术服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
专注于设计、研发与销售高性能功率半导体器件（包括高压超结MOSFET、IGBT、SBD、FRD）及栅极驱动IC，提供系统解决方案以提升能效、降低功耗。
江苏丽隽功率半导体有限公司
有限责任公司
￥3,020万
2015-01-27
范捷
sunny.w@pipsemi.com
无锡市锡山区二泉东路19号集智商务广场12楼