碳化硅外延片
紫硅半导体专注于研发、生产和销售高质量的第三代半导体碳化硅外延片（SiC epitaxial wafers）。该产品采用先进的化学气相沉积（CVD）技术，在碳化硅衬底上生长外延层，具有高均匀性、低缺陷密度、优异的电学性能和热稳定性等特性，适用于高温、高频、高效能的电力电子器件制造，如电动汽车逆变器、充电桩、可再生能源转换器和服务器电源系统。具体规格包括4H-SiC晶圆、n型和p型掺杂选择，以及不同厚度和尺寸的定制选项，以支持客户在功率半导体领域的高性能需求。