650V/1200V IGBT芯片电压平台
基于自主沟槽栅技术构建的全电压系列IGBT芯片平台，覆盖600V至1200V电压等级，采用精细元胞设计和电场优化技术（Field-stop Technology）。其中1200V平台实现非穿通型（NPT）与场截止型（FS）结构结合，通过背面离子注入控制少数载流子寿命，平衡开关速度与导通特性，为高压应用提供低电感封装兼容性。
沟槽栅绝缘栅双极晶体管（Trench Gate IGBT）芯片技术
美林电子自主研发的沟道式IGBT芯片技术，采用先进的沟槽栅结构（Trench Gate Structure），通过优化栅极沟槽深度和单元设计实现载流子注入增强效应（IE effect），显著降低导通压降（Vce(on)）并提升开关频率。其创新点在于自主开发的薄晶圆减薄工艺（Wafer Thinning）和终端保护结构（Termination Structure），确保了2012年推出的中国首颗量产级沟槽栅IGBT芯片的可靠性和性能一致性。
融资次数
1
员工数量
100-499人
专利数量
68
经营范围
一般项目：集成电路芯片及产品制造；半导体分立器件制造；电子元器件制造；集成电路制造；照明器具制造；汽车零部件及配件制造。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
功率器件和IGBT芯片的研发、生产和销售业务
淄博美林电子有限公司
有限责任公司(中外合资)
$1,449万
1990-11-06
李安
swkj1@zbmcc.com
淄博市张店区张柳路（淄博科技工业园东南角）