高效功率电子转换解决方案
提供GaN衬底晶片用于制造高效氮化镓功率半导体器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和场效应晶体管（FETs）。该方案通过GaN材料的快速开关特性，实现高频率电力转换，减少能源损失，提高系统效率。
射频功率放大器器件解决方案
利用苏州纳维的GaN衬底晶片开发高性能射频功率放大器芯片，应用于高频通信领域。该方案基于GaN材料的高电子迁移率特性，支持器件在高频率、高功率条件下稳定工作，适用于5G、卫星等通信系统。
高亮度LED外延片制造解决方案
苏州纳维提供高质量氮化镓（GaN）衬底晶片，用于客户在衬底上进行外延生长，制造高亮度发光二极管（LED）。该方案基于公司核心的GaN衬底技术，包括低缺陷密度的晶片制备工艺，确保外延层生长均匀且高效，从而提升LED的光效和使用寿命。
融资次数
8
员工数量
50-99人
专利数量
86
经营范围
宽带隙半导体材料、器件及相关技术和设备的研发、销售；氮化镓晶片的生产、加工；纳米技术领域的技术支持和技术咨询服务。从事研发生产所需设备的进口业务及自产产品的出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
专注于氮化镓衬底晶片的研发、生产及相关设备的产业化，是中国首家氮化镓衬底晶片供应商，主要产品用于光电子、功率电子等高科技领域。
苏州纳维科技有限公司
有限责任公司
￥5,679万
2007-05-25
王建峰
0512-69561962
xuelian@nanowin.com.cn
中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室（该地址不得从事零售）