HVPE氮化镓生长设备
苏州纳维科技有限公司研发并量化的相关设备产品，用于氮化镓衬底晶片的定制化生长。该设备基于自主专利的氢化物气相外延（HVPE）系统，具备高温度稳定性（操作温度可达1100℃以上）、精确的气体流量控制（氨气、镓源等）和快速生长速率（典型值约100μm/h）。设计优化了反应室结构，以减少缺陷和杂质，支持大规模生产2英寸和4英寸氮化镓晶片。设备关键组件包括高效加热系统、实时监控模块和自动衬底装载机构，适用于科研机构及工业生产线。应用领域覆盖半导体材料研发、光电设备制造及新材料试产，帮助客户降低外延成本并提高衬底良率。
4英寸氮化镓自支撑衬底晶片
苏州纳维科技有限公司的量产产品，扩展尺寸版本，同样基于HVPE技术开发，提供更大尺寸的氮化镓晶片（直径100mm/4英寸），旨在满足工业规模化生产需求。该衬底具有极低的缺陷密度（EPD可降至5×10^4 cm^{-2}以下）、优异的导热性和电迁移性能，适用于高性能半导体器件的外延生长，特别是用于制造大功率LEDs、高电子迁移率晶体管（HEMTs）和紫外激光器。晶片表面粗糙度控制严格（Ra<0.2nm），保证与各种外延设备兼容，支持微波射频、数据中心电源管理及快速充电应用。产品通过严格的质量控制流程，包括X射线衍射（XRD）和电镜分析，确保批次一致性和可靠性。
2英寸氮化镓自支撑衬底晶片
苏州纳维科技有限公司的核心产品之一，采用氢化物气相外延（HVPE）技术制备而成，具有高晶体质量、低缺陷密度（位错密度低于10^6 cm^{-2}）、优异的热稳定性和电学性能。该衬底主要用于生长高效蓝色和绿色发光二极管（LEDs）、激光二极管（LDs）、高频射频器件以及电力电子设备。晶片表面经过精细抛光处理，确保均匀平整度，适用于金属有机化学气相沉积（MOCVD）等外延工艺。产品技术参数包括直径50.8mm（2英寸）、厚度约330μm，支持定制规格以满足不同应用需求，如micro-LED显示、5G通信和新能源汽车功率转换器等前沿领域。
融资次数
8
员工数量
50-99人
专利数量
86
经营范围
宽带隙半导体材料、器件及相关技术和设备的研发、销售；氮化镓晶片的生产、加工；纳米技术领域的技术支持和技术咨询服务。从事研发生产所需设备的进口业务及自产产品的出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
专注于氮化镓衬底晶片的研发、生产及相关设备的产业化，是中国首家氮化镓衬底晶片供应商，主要产品用于光电子、功率电子等高科技领域。
苏州纳维科技有限公司
有限责任公司
￥5,679万
2007-05-25
王建峰
0512-69561962
xuelian@nanowin.com.cn
中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室（该地址不得从事零售）