45nm嵌入式闪存技术
一种用于生产嵌入式NAND闪存单元的制造工艺，专注于电荷陷阱机制和存储单元结构优化。创新点包括采用新型隧穿氧化层和硅化物界面工程，提升数据保留能力（可长达10年）和读写速度，同时增强耐擦写次数（达到10万次以上）。该工艺在集成兼容性上创新，实现与CMOS逻辑工艺的无缝整合，减少互连电阻和电容损耗。
65nm CMOS逻辑工艺技术
一种基于深亚微米CMOS技术的制造工艺，专为逻辑芯片优化。核心创新点在于采用先进沟道工程和低k介电材料，通过优化晶体管结构和掺杂策略，显著降低泄漏电流和功耗，同时提高开关速度和集成密度。该工艺使用光刻技术和蚀刻精度控制，支持多电压域设计，适用于高性能和低功耗应用场景。
融资次数
3
员工数量
1000-4999人
专利数量
4926
经营范围
开发、设计、加工、制造和销售集成电路和相关产品，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
半导体晶圆代工服务，以逻辑芯片和闪存芯片制造为核心业务。
上海华力微电子有限公司
有限责任公司(外商投资企业与内资合资)
￥284.0208亿
2010-01-18
张素心
021-61871212
fengxuejing@hlmc.cn
中国（上海）自由贸易试验区高斯路568号