复合衬底激光剥离技术
研发基于紫外纳秒激光的GaN-on-Sapphire/on-SiC剥离系统，通过355nm激光束空间光调制器(SLM)实现能量密度梯度控制，开发多脉冲冲击波干涉模型，剥离厚度精度达±2μm。集成原位厚度监测与AI算法实时调节剥离参数，良率提升至99.8%。
硅基氮化镓外延技术
开发基于8英寸硅衬底的异质外延技术，通过创新应力缓冲层(AlN/AlGaN超晶格)结构设计和3D TCAD仿真优化，实现1.2μm GaN外延层无裂纹生长。采用pendeo-epitaxy侧向外延工艺控制位错延伸，将晶圆级翘曲控制在<50μm，薄膜均匀性(σ/mean)<3%。
氮化镓(GaN)单晶衬底制备技术
采用氢化物气相外延(HVPE)法自主开发大尺寸氮化镓单晶生长工艺，实现直径6英寸级GaN晶体的高良率生产。通过创新性反应室热场设计、多区温度精密控制及气体流场优化，攻克位错密度控制、晶体应力消除等关键技术瓶颈，实现低位错密度(<5×10⁶ cm⁻²)、高晶体完整性的产业化制造。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
60
经营范围
从事半导体晶体、晶圆、芯片及器件的研发、生产、销售；半导体制造设备的设计、研发、制造、销售及租赁（不含融资租赁）；其他晶体材料的生产与销售；其他晶体材料的生产设备的制造与销售及租赁（不含融资租赁）；半导体技术服务、咨询与转让；货物及技术的进出口业务；二手半导体相关设备的进出口与租赁业务（不含融资租赁）；机电设备安装工程施工业务（含特种设备安装，凭安装许可证经营）。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
碳化硅晶圆及相关半导体的研发、生产与销售
无锡吴越半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥667万
2019-03-13
张海涛
0510-85559860
bin.xu@goetsu.com.cn
无锡市新吴区漓江路11号