华瑞微电子
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功率器件产品研发商
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SGT MOS
SGT MOS(屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体)通过先进的栅极屏蔽设计,有效降低寄生电容和导通电阻,实现高密度、高性能的功率开关。工作电压范围从60V至150V,适用于汽车电子、数据中心电源和高性能计算设备。该产品能减少开关损耗,提高能源利用效率,并支持快速响应和高频操作。
超结MOS
超结MOS(超级结金属氧化物半导体场效应晶体管)采用多层堆叠结构,降低导通电阻并提升击穿电压(通常在500V至900V范围)。它专门用于高功率应用,如太阳能逆变器、电动汽车充电器和工业电机控制,能显著提高系统效率和热稳定性。产品优势在于减少开关损耗,适用于严苛环境和长时间运行场景。
低压Trench MOS
低压Trench MOS(沟槽金属氧化物半导体)是一种低压功率器件,工作电压范围在30V至200V之间。其独特沟槽设计优化了导通电阻和开关性能,适用于高频、高效率应用场景,如笔记本电脑适配器、移动设备充电器、服务器电源和DC-DC转换器。产品特点是低功耗损耗和高开关速度,确保便携式电子设备的续航能力和紧凑设计。
高压VDMOS
高压VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体)是一种功率器件,工作电压范围通常在600V以上,提供高击穿电压和低导通电阻。它适用于工业电源系统、不间断电源(UPS)、电机驱动和逆变器等领域,能高效处理高功率转换需求,提升系统可靠性和能效比。根据行业公开数据,该产品广泛应用于电力控制和能源管理设备中。
融资次数
5
员工数量
100-499人
专利数量
13
经营范围
电子元器件、电子产品、半导体器件的研发、设计、制造、销售、技术服务;集成电路制造;计算机软硬件的研发与销售;工业设计服务;货物或技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
功率器件产品的研发、生产、销售及服务,核心专注于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术平台,包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS产品线,同时积极推进第三代半导体功率器件的研发。
公司全称
滁州华瑞微电子科技有限公司
公司类型
其他有限责任公司
注册资本
¥1.9974亿
成立时间
2020-07-31
法定代表人
刘海波
邮箱
bella@hr-micro.com
地址
安徽省滁州市南谯区兴隆路50号