SGT MOS
分槽栅极MOSFET（Split Gate Trench MOS）技术结合平面栅和沟槽栅优点，采用分槽结构优化栅极特性。创新点包括分栅电极设计与自对准工艺，减少米勒电容（Qgd）和开关噪声，提高dv/dt抗扰性。关键创新点在于栅源电荷（Qgs）优化实现高可靠性和高频开关能力。
超结MOS
超结（Super Junction）MOSFET技术采用p型和n型交替柱结构（Charge Balance技术），突破硅基功率器件的限制。创新点包括多级外延深槽工艺，实现精确电荷补偿，显著降低导通电阻（Rds(on)）同时保持高击穿电压。创新点体现在优化开关波形减少振铃噪声和提升反向恢复性能。
低压Trench MOS
低压沟槽型MOSFET技术利用深度刻蚀沟槽栅极结构，专为低电压（200V以下）、高电流应用设计。创新点包括先进的沟槽氧化物控制和电荷优化工艺，降低栅源电容（Ciss）和开关损耗，支持高频操作。通过元胞尺寸最小化，提升电流密度和热性能。
高压VDMOS
高压垂直扩散金属氧化物半导体（V-DMOS）技术采用垂直结构优化设计，专注于高电压（600V以上）应用。创新点包括多级外延层工艺和栅极电荷平衡技术，显著降低导通电阻（Rds(on)）并提升开关速度和热稳定性。关键优势在于通过终端结构创新（如场板或保护环设计）增强击穿电压可靠性和功率密度。
融资次数
5
员工数量
100-499人
专利数量
13
经营范围
电子元器件、电子产品、半导体器件的研发、设计、制造、销售、技术服务；集成电路制造；计算机软硬件的研发与销售；工业设计服务；货物或技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
功率器件产品的研发、生产、销售及服务，核心专注于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术平台，包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS产品线，同时积极推进第三代半导体功率器件的研发。
滁州华瑞微电子科技有限公司
其他有限责任公司
￥1.9974亿
2020-07-31
刘海波
bella@hr-micro.com
安徽省滁州市南谯区兴隆路50号