功率半导体器件设计
专注于开发和优化IGBT、MOSFET等功率半导体器件的设计技术，通过采用高密度封装工艺和材料优化，实现高开关频率、低导通电阻和优异的热管理性能，创新点在于兼容硅基与宽禁带半导体（如SiC）的混合设计方案，提升系统效率和可靠性。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
57
经营范围
集成电路、计算机软硬件的设计、开发、销售；商务信息咨询（不含投资咨询）；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定公司经营或禁止进出口的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
集成电路和计算机软硬件的设计、开发与销售
无锡韦感半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥8,633万
2019-03-18
万蔡辛
0510-88992289
junchao.xu@willmems.com
无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5楼