碳化硅基外延片
碳化硅基外延片采用化学气相沉积（CVD）在碳化硅衬底上生长高质量碳化硅薄膜，产品具备宽禁带特性、高击穿电压（超过1700V）、高热导率和优异的高温稳定性（可操作温度达600°C以上）。它主要用于制造功率半导体器件（如MOSFET、肖特基二极管和IGBT模块），适用于电动汽车充电系统、高速列车牵引、太阳能逆变器和工业电机驱动等高功率应用场景，显著提升能源转换效率和系统可靠性。
硅基外延片
硅基外延片是一种在硅单晶衬底上通过气相外延（VPE）或分子束外延（MBE）等技术生长的高纯度硅层，具有低缺陷密度、均匀的厚度和精确的掺杂控制。产品支持4英寸、6英寸及8英寸晶圆规格，广泛应用于集成电路芯片（如逻辑芯片、存储器）和半导体分立器件（如晶体管、二极管）的制造，满足先进工艺节点的需求（如10nm以下制程），适用于智能手机、计算机和通信设备等领域。
融资次数
3
员工数量
100-499人
专利数量
65
经营范围
半导体材料、电子元器件、集成电路芯片、电子产品研制、开发、生产、加工、销售、测试、检测、化验、维修及技术咨询、技术服务、技术转让；金属材料、磁性原料、机电设备、通讯器材、计算机及配件销售；实业投资；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
高性能硅基和碳化硅基外延片的研发、生产、销售及相关技术服务，服务于集成电路芯片和半导体分立器件制造领域。
南京国盛电子有限公司
有限责任公司
2003-10-27
宫志松
gs@epi.com
南京江宁经济技术开发区正方中路166号