RIE (反应离子刻蚀)
结合离子物理轰击与活性气体化学反应的等离子体刻蚀技术。通过调节气体组分（如CF₄/O₂）和射频功率，实现高深宽比结构的定向刻蚀与选择性控制。
IBE (离子束刻蚀)
利用聚焦离子束物理轰击材料表面实现纳米级精度刻蚀的技术。采用惰性气体离子源，通过调控离子能量和入射角度实现各向异性刻蚀，避免化学反应残留。
PVD (物理气相沉积)
通过真空环境下物理方法（如溅射、蒸发）使材料气化沉积形成薄膜的技术。在半导体领域用于沉积金属互连层、阻挡层及电极材料，膜层具备高致密度和优异台阶覆盖率。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
29
经营范围
集成电路设备、泛半导体设备、光伏设备、TFT 设备、真空设备、锂离子电池设备、电子元器件研发、组装、生产、销售。泛半导体设备、新能源设备、真空设备制造技术，半导体及微电子器件工艺，半导体材料、功能材料技术的技术咨询，技术开发，技术转让，技术服务。经营本企业自产产品的出口业务和企业生产所需原辅材料机械设备、零配件及技术进口业务（国家限制或禁止的除外；涉及前置审批的除外）（列入外商投资准入特别管理措施清单内的项目除外）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
研发、生产和销售半导体、MEMS及新能源器件制造专用设备。
浙江艾微普科技有限公司
有限责任公司（外商投资、非独资）
2019-10-09
YUNJUN TANG
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浙江省嘉兴市海宁市海昌街道芯中路6号1幢